SK 海力士开发出业界首款 12 层堆叠 HBM3 DRAM 芯片

12 个单品 DRAM 芯片，最高容量的成功开发 24GB 的 HBM3 DRAM 新产品。该公司表示，目前正在向客户提供样品，并进行性能评估。 SK 海力士表示：“继去年 6 月率先量产业界首款 HBM3 之后，公司又成功开发出了内存容量比前一代产品增加 50% 的 24GB 封装产品。